基本属实
中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)已开始量产采用第五代DRAM工艺的产品,标志着其内存制造技术进一步追赶行业领先水平。相关消息经多方渠道核实,其官方网站亦已公开相关产品资料。
长鑫存储此次量产第五代DRAM工艺,意味着其制程节点继续向Samsung、SK hynix等行业龙头所水平靠拢。业内普遍以制程代际衡量DRAM厂商的技术实力,第五代工艺的量产被视为此前以中低端产能为主的长鑫存储技术升级的重要节点。
目前尚无关于其量产良率与产能规模的具体数据。长鑫存储官网公开了相关产品信息,但详细规格仍有待官方进一步说明。
长鑫存储产能与技术水平的提升,可能对全球DRAM供需格局产生影响。Samsung、SK hynix及美光(Micron)长期主导DRAM市场,中国大陆厂商的工艺进步历来被视为价格与竞争格局的潜在变量。
不过,第五代工艺量产与最先进工艺仍存在代际差距,三星电子与SK海力士已在更先进节点上量产多年。长鑫存储后续能否在良率与成本上形成竞争力,仍需观察。
综合官方资料与多方信源,长鑫存储进入第五代DRAM工艺量产阶段这一说法基本属实。
Verdict: 基本属实