중국 메모리 업체 CXMT가 9월 20일 5세대 D램 공정 플랫폼 G5의 양산 돌입을 공식 발표했다. 회사는 G5 기반 11.95nm 공정의 8Gb 환산 웨이퍼당 다이 처리량이 전년 대비 50% 증가했다고 밝혔다.
CXMT 공식 홈페이지에 따르면 G5 플랫폼은 DUV 다중 노광 공정으로 만들어지며 11.95nm 배열 하프피치를 적용했다. 회사는 해당 플랫폼으로 DDR5 제품을 양산하고 있으며 일부 스마트폰에도 탑재됐다고 전했다. 이 발표는 로이터 통신이 보도했고 TrendForce 등 업계 매체들이 내용을 전달하며 확산됐다.
기술 분석 매체 XenoSpectrum은 +50% 수치가 결함 선별 전 gross DPW 기준일 가능성을 지적했다. 수율·양품 다이 수·출하량·월간 웨이퍼 투입량은 아직 공개되지 않았다. 양산의 실효성에 대한 독립 검증 데이터는 현재까지 확보되지 않았으며 회사 발표가 유일한 출처다.

출처: 조사 출처
11.95nm은 로직 노드명이 아닌 배열 AA 하프피치 수치다. XenoSpectrum은 '세계 최고 수준 근접' 주장이 경쟁사의 동일 정의 비교 데이터가 없어 객관 검증이 불가능하다고 밝혔다. CXMT는 EUV 노광을 사용하지 않고 DUV SAQP로 해상도를 확보했으며 선도 3사와의 기술 격차 논의는 계속된다.
G5는 공정 플랫폼 세대이고 LPDDR5X·LPDDR6 같은 제품 세대와는 별개다. CXMT는 직전에 LPDDR6 세계 최초 양산 소식도 발표했으며 샤오미 18 Fold가 첫 탑재 대상이었다. 회사는 공정 플랫폼과 제품 라인을 구분해 진행 상황을 공개하는 구조다.
CXMT의 G5 양산 선언은 공식 발표와 다수 독립 매체의 전달로 확인되는 사실이며 실효성 검증 자료만 남은 상태다. 향후 TrendForce 등 시장조사기관의 수율·출하량 추정치와 실제 고객 채택 물량이 나오는 시점이 확인할 지점이다. 수율과 물량 데이터가 추가되기 전까지 이 주장은 대체로 사실로 평가된다.