基本属实
中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)已开始采用第五代 DRAM 工艺进行量产。这一进展意味着这家中国DRAM厂商在先进制程方面进一步缩小与韩国 Samsung、SK hynix 等领先企业之间的差距。
据相关证据文件记录,CXMT 的第五代 DRAM 工艺量产事实已得到确认。该消息基于对主要原始来源的审查,共查阅了 10 个来源。
第五代 DRAM 工艺通常被视为接近 1z/1α 级别的先进制程节点。CXMT 在这一节点上实现量产,标志着中国半导体产业在存储器领域的追赶速度加快。
Samsung 与 SK hynix 长期以来在 DRAM 市场占据主导地位,而 CXMT 的制程升级可能在中低端 DRAM 产品上对两家韩国厂商构成价格与供给层面的竞争压力。
不过,CXMT 在先进制程的良率、产能规模以及与 Samsung、SK hynix 在 HBM 等 AI 相关存储产品上的技术差距方面,仍存在明显距离。相关量产的具体产能规模与产品良率等细节尚待进一步确认。
综合现有信息,CXMT 第五代 DRAM 工艺量产的说法基本属实。