중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 9월 20일 5세대(G5) D램 플랫폼의 양산 진입을 공식 발표했다. 회사가 공개한 공정 지표는 11.95nm 셀 기술의 DDR5 제품으로, 중국 메모리업체의 최첨단 공정 이행 속도가 빨라지고 있다는 평가를 불러왔다.
CXMT 공식 뉴스룸과 China Daily·Reuters 보도에 따르면 이번 발표는 G5 플랫폼의 양산 진입을 명시했다. 회사가 공개한 자료에는 셀 크기 11.95nm, 종횡비 45:1, 6,762nm 상면 배선, 웨이퍼당 다이 수 +50% 표기가 담겼다. 공식 뉴스룸은 양산 본을 첨부 이미지로 함께 배포했다.
뉴스1 보도에 따르면 CXMT가 공개한 공정 지표와 삼성전자·SK하이닉스의 공정 세대 명칭은 직접 비교하기 어렵다. 삼성·SK하이닉스는 10nm급 6세대(1c) D램 양산을 확대 중이며 CXMT는 아직 HBM 제품이 없다. 업계 관계자는 기술 격차가 유지되지만 좁혀지는 속도가 빨라진다고 전했다.
조선일보는 8월 12일 CXMT의 17nm DDR5 수율 90% 주장에 대해 반도체 업계 소스가 상장 준비 과정에서 기업가치에 유리한 수치가 다수 나왔다며 개별 주장을 높이 신뢰하지 않는다고 전했다. 해당 수치는 MyDrivers 단일 출처 보도였다. G5 양산의 실제 출하량과 수율, 라인 가동 규모에 대한 독립 검증 자료는 발표 3일차 시점까지 확인되지 않았다.
CXMT 부사장은 G5가 업계 최첨단 양산 노드와 맞먹는 수준이라고 밝혔다. 다만 '5세대'는 CXMT 자체 세대 명명(G5 Platform)으로 업계 표준 노드명이 아니며, 삼성·SK하이닉스 1c 대비 실질 격차는 수치 비교가 불가능하다. 이 발언은 기업 주장으로 분류해야 한다.
CXMT의 양산 선언은 공식 발표와 주요 통신사 보도로 뒷받침된다는 점에서 대체로 사실로 판단된다. 다만 실제 수율과 출하 규모, 1c급 공정과의 격차는 앞으로 독립 데이터가 나와야 확인할 수 있다.