属实
日本材料大厂 Resonac(原昭和电工)在碳化硅(SiC)晶圆领域迈出关键一步,成功实现 12 英寸(300 毫米)SiC 晶圆的突破。相较目前行业主流的 6 英寸与 8 英寸产品,12 英寸晶圆意味着单座晶圆可切出的芯片数量大幅增加,有望显著摊薄 SiC 功率器件的制造成本。相关报道经多方核实,最终判定属实。
SiC 材料以高硬度著称,晶圆生长与加工难度远高于传统硅基材料,因此业界长期停留在较小尺寸。Resonac 作为全球主要的 SiC 外延晶圆供应商之一,此次率先在 12 英寸尺寸上取得突破,被视为 SiC 大尺寸化进程中的标志性节点。
尺寸每上一级,单位芯片成本便随之下降,同时可让更多现有硅基产线设备直接兼容,这对电动车、工业电源等对成本高度敏感的应用尤为关键。
SiC 器件目前主要由意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆等厂商供应,上游衬底与外延材料则是竞争的焦点。Resonac 在外延晶圆环节拥有长期积累,若其 12 英寸产品走向量产,将强化其在供应链中的话语权,也可能加速其他材料厂商跟进大尺寸布局。
需要说明的是,目前公开信息主要确认了 Resonac 打通 12 英寸 SiC 晶圆这一成果本身;其具体量产时点与客户导入进度尚未在报道中披露。
对韩国功率半导体产业而言,衬底与外延材料长期依赖进口,Resonac 本身也是韩国相关厂商的重要材料来源之一。此次 12 英寸突破进一步凸显了材料环节在 SiC 竞争中的分量,也可能对韩国厂商的供应链策略与本土材料投资决策产生影响。
综合多方信息核实,Resonac 率先实现 12 英寸 SiC 晶圆的报道属实。
Verdict: 属实