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ZH WIRE · 2026-09-23 16:47

Resonac 率先打通 12 英寸 SiC 晶圆

属实

Resonac 率先打通 12 英寸 SiC 晶圆
Image source: 조사 출처

日本材料大厂 Resonac(原昭和电工)在碳化硅(SiC)晶圆领域迈出关键一步,成功实现 12 英寸(300 毫米)SiC 晶圆的突破。相较目前行业主流的 6 英寸与 8 英寸产品,12 英寸晶圆意味着单座晶圆可切出的芯片数量大幅增加,有望显著摊薄 SiC 功率器件的制造成本。相关报道经多方核实,最终判定属实。

원문 주장 (KR)
12인치 SiC 뚫은 레조낙

从 6 英寸到 12 英寸:SiC 大尺寸化的新台阶

SiC 材料以高硬度著称,晶圆生长与加工难度远高于传统硅基材料,因此业界长期停留在较小尺寸。Resonac 作为全球主要的 SiC 外延晶圆供应商之一,此次率先在 12 英寸尺寸上取得突破,被视为 SiC 大尺寸化进程中的标志性节点。

尺寸每上一级,单位芯片成本便随之下降,同时可让更多现有硅基产线设备直接兼容,这对电动车、工业电源等对成本高度敏感的应用尤为关键。

功率半导体竞争格局或受影响

SiC 器件目前主要由意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆等厂商供应,上游衬底与外延材料则是竞争的焦点。Resonac 在外延晶圆环节拥有长期积累,若其 12 英寸产品走向量产,将强化其在供应链中的话语权,也可能加速其他材料厂商跟进大尺寸布局。

需要说明的是,目前公开信息主要确认了 Resonac 打通 12 英寸 SiC 晶圆这一成果本身;其具体量产时点与客户导入进度尚未在报道中披露。

韩国产线视角:材料环节仍是短板

对韩国功率半导体产业而言,衬底与外延材料长期依赖进口,Resonac 本身也是韩国相关厂商的重要材料来源之一。此次 12 英寸突破进一步凸显了材料环节在 SiC 竞争中的分量,也可能对韩国厂商的供应链策略与本土材料投资决策产生影响。

综合多方信息核实,Resonac 率先实现 12 英寸 SiC 晶圆的报道属实。

Verdict: 属实

Sources — primary documents (9)
  1. https://html.duckduckgo.com/html/?q=Resonac+300mm+SiC+single+crystal+12-inch
  2. https://www.resonac.com/
  3. https://www.resonac.com/news/2026/09/15/4016.html
  4. https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2609/16/news052.html
  5. https://www.kipost.net/news/articleView.html?idxno=341524
  6. https://news.google.com/rss/articles/CBMiiAFBVV95cUxP...?oc=5
  7. https://www.resonac.com/sites/default/files/2026-09/_FSJ0825a.jpg
  8. https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/2609/16/jn20260916sic001.jpg
  9. https://cdn.kipost.net/news/photo/202609/341524_111019_2248.jpg

KR: /news/20260921-5cd3ea · 판정: 사실