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ZH WIRE · 2026-09-24 15:56

韩中存储器半导体技术差距“最长1年”之说浮出水面

部分属实

韩中存储器半导体技术差距“最长1年”之说浮出水面
Image source: 조사 출처

围绕韩国与中国在存储器半导体领域的技术差距,出现了“最长不超过1年”的说法。不过,"1年"这一具体表述是否出自发言者本人原话,尚有疑问,相关发言仅在媒体报道的导语层面出现。

원문 주장 (KR)
중국과 메모리 반도체 기술 격차 길어야 1년

说法的由来与疑点

据相关报道,有观点认为韩国在存储器半导体技术上与中国的差距最多为1年。这一说法以韩国媒体文章为源头流传开来。

但需要指出的是,"1年"这一精确数字是否确为发言者亲口所述,目前无法完全确认。相关表述可能只是媒体报道中的措辞,而非发言者原文。报道中涉及的原始材料已被查阅核对,但发言者本人原话与媒体报道之间的差异仍未得到彻底澄清。

背景:中国存储器厂商快速追赶

在存储器半导体领域,以长鑫存储(CXMT)为代表的中国厂商近年迅速扩张,其产品信息与公司图片均通过官方网站公开。与此同时,SK hynix 已发布 HBM4 相关资料,显示韩国厂商在 AI 存储器领域持续投入。

中国厂商的追赶速度引发业界关注,这也使得韩中之间在存储器技术上的实际差距成为争议焦点。不过,关于差距的具体长度,目前业界并没有经过验证的统一结论。

结论

综合来看,“韩中存储器半导体技术差距最长1年”这一说法部分有据可循,但"1年"的确切出处未能完全落实。就目前掌握的信息而言,该说法只能被认定为:部分属实

Verdict: 部分属实

Sources — primary documents (12)
  1. https://www.ipdaily.co.kr/2026/09/24/14/35/54/50844/%EC%A4%91%EA%B5%AD%EA%B3%BC-%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC-%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4-%EA%B8%B0%EC%88%A0-%EA%B2%A9%EC%B0%A8-%EA%B8%B8%EC%96%B4%EC%95%BC-1%EB%85%84-%EC%B2%A8%EB%8B%A8/
  2. https://www.joongang.co.kr/article/25461527
  3. https://www.pennmike.com/news/articleView.html?idxno=127810
  4. http://www.weeklypost.kr/news/articleView.html?idxno=11953
  5. https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/07/29/ZT7EHBUCVBHI7ESA3NDZFJL6UY/
  6. https://news.einfomax.co.kr/news/articleView.html?idxno=4433198
  7. https://news.skhynix.com/en/sk-hynix-completes-worlds-first-hbm4-development-and-readies-mass-production/
  8. https://www.cxmt.com/
  9. https://www.ymtc.com/kr/
  10. https://www.cxmt.com/uploadfile/2026/0922/20260922085017887.jpg
  11. https://d18r0a86za96sg.cloudfront.net/wp-content/uploads/2026/05/27132311/SK-hynix-HBM4_resized_01.jpg
  12. https://www.cxmt.com/uploadfile/2025/1125/20251125063427189.jpg

KR: /news/20260924-417155 · 판정: 부분 사실