낸드 격차는 1년 내외라는 복수 평가

한국반도체산업협회(KSIA)가 D램 2년·낸드 1년·HBM 3년 격차를 언급했다는 인용이 3개 매체에서 동일하게 확인됐다. 해당 협회 보도자료 원문은 아직 직접 확보되지 않았다. 업계에서도 낸드 격차가 크지 않다는 평가가 이어졌다. YMTC 공식 사이트에 따르면 동사는 Xtacking 아키텍처 기반 Gen5 소비자용 SSD를 상용화했고, 이는 낸드 분야의 근접 추격이 실제로 진행 중임을 보여준다.

HBM에서는 3년 이상 벌어진 양산 단계

출처: 조사 출처

SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 한국은 HBM4와 300단대 낸드를 양산 단계에 올려놓았다. 동사는 1bnm(10나노 5세대) 공정에 2,048 I/O와 10Gbps 초과 대역을 갖춘 321단 낸드 개발을 마치고 양산을 준비 중이라고 밝혔다. 반면 CXMT 공식 사이트의 상용 라인업은 LPDDR6·DDR5·LPDDR5X·LPDDR4X뿐이며, HBM은 제품 목록에 없었다. 시장 보도 기준 CXMT의 HBM3 수율은 약 25%에 머물고 HBM3E 시험 양산은 2026년 9월, 본 양산 목표는 2027년이다.

“길어야 1년” 헤드라인과 본문의 모순

IPDaily의 해당 기사는 헤드라인에서 격차를 길어야 1년으로 압축했지만, 본문에서는 D램 격차를 1년반~3년으로 제시했다. 헤드라인이 원문보다 과장·압축된 사례에 해당한다. 한국은행은 앞서 메모리 기술 격차가 향후 3~5년간 확대할 것으로 전망했고, KITA와 업계 평가도 3~5년의 넓은 격차를 제시했다. 어느 출처를 기준으로 삼아도 메모리 전체 격차가 1년 이내라는 결론은 성립하지 않았다.

확인되지 않은 KSIA 원문과 남은 과제

KSIA의 품목별 격차 수치는 3개 매체가 동일하게 인용해 발언 자체의 개연성은 높으나, 원문 대조가 미완료 상태다. '길어야 1년'이라는 표현이 화자의 원어였는지 여부도 기사 리드 수준의 요약으로 확인되지 않았다. 협회 보도자료 원문 확보와 발언 원문 대조가 이루어져야 격차 논쟁의 출발점이 정리된다.

결국 메모리 전체 격차를 길어야 1년으로 단정한 것은 과장이었고, 품목별로는 낸드 1년 내외라는 평가만 부분 사실에 해당한다.