광고
광고

SKIDIA's PaperBoy

TH WIRE · 2026-09-24 14:02

ข้อพิพาทสิทธิบัตรกระบวนการฝังสารกึ่งโน้มเตอร์: Wonik ฝ่ายสู้คดีแย้ง Lam Research ด้วยเหตุผล "โครงสร้างแผ่นชั้นต่างจากงานวิจัยเปรียบเทียบ"

เป็นจริงส่วนใหญ่

ข้อพิพาทสิทธิบัตรกระบวนการฝังสารกึ่งโน้มเตอร์: Wonik ฝ่ายสู้คดีแย้ง Lam Research ด้วยเหตุผล "โครงสร้างแผ่นชั้นต่างจากงานวิจัยเปรียบเทียบ"
Image source: 조사 출처

การต่อสู้ทางกฎหมายเกี่ยวกับสิทธิบัตรกระบวนการฝังสาร (etching) กึ่งโน้มเตอร์ระหว่างบริษัทเกาหลี Wonik กับ Lam Research สหรัฐฯ ได้เปิดเผยข้อโต้แย้งหลักของทั้งสองฝ่ายแล้ว โดย Wonik ระบุว่าความสัมพันธ์ระหว่างขั้วไฟฟ้าบนและแผ่นรองพื้นยังไม่ชัดเจน ขณะที่ Lam Research ยืนยันว่าสิทธิบัตรของตนแตกต่างจากงานวิจัยที่ถูกยกมาเปรียบเทียบ

원문 주장 (KR)
반도체 식각분쟁...월덱스 "상부전극-기판 관계 불분명" vs. 램리서치 "비교발명과 달라"

จุดยืนของทั้งสองฝ่ายในคดี

ในกระบวนการพิจารณาคดี Wonik ซึ่งเป็นฝ่ายถูกกล่าวหาว่าละเมิดสิทธิบัตร ได้ยื่นข้อโต้แย้งว่าโครงสร้างที่เป็นประเด็นของสิทธิบัตรโจทก์นั้น ความสัมพันธ์ระหว่างขั้วไฟฟ้าด้านบน (upper electrode) กับแผ่นรองพื้น (substrate) ยังคงไม่ชัดเจน จึงไม่อาจสรุปได้ว่าการใช้งานของตนเข้าข่ายการละเมิด

ฝ่าย Lam Research ผู้เป็นเจ้าของสิทธิบัตร ยืนยันตรงกันข้ามว่า สิทธิบัตรของตนมีความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญจากเทคโนโลยีที่ถูกยกมาเป็นงานวิจัยเปรียบเทียบ และจุดแตกต่างนี้คือสิ่งที่ทำให้สิทธิบัตรของตนมีความชอบธรรมและมีขอบเขตการคุ้มครองที่แน่นอน

ความน่าเชื่อถือของรายงานและสถานะของหลักฐาน

ข้อเท็จจริงที่รายงานในครั้งนี้มีที่มาจากการรายงานของสื่อ (โดยไม่มีหลักฐานที่ขัดแย้งกันปรากฏ) ขณะเดียวกัน บันทึกการพิจารณาของศาล (trial record) ยังไม่ได้ถูกนำขึ้นแสดงในฐานข้อมูลสาธารณะเมื่อเวลาที่รายงานนี้จัดทำขึ้น จึงยังไม่สามารถตรวจสอบรายละเอียดของข้อมูลที่ยื่นในคดีได้โดยตรงจากแหล่งข้อมูลสาธารณะ

กระบวนการฝังสาร (etching) เป็นขั้นตอนหลักในการผลิตเวเฟอร์กึ่งโน้มเตอร์ โดยเป็นจุดที่บริษัทอุปกรณ์ผลิตชั้นนำระดับโลกต่างแข่งขันกันทางเทคโนโลยีอย่างเข้มข้น และข้อพิพาทสิทธิบัตรในส่วนนี้ส่งผลโดยตรงต่อตำแหน่งการแข่งขันของแต่ละบริษัทในตลาดอุปกรณ์ผลิตกึ่งโน้มเตอร์

สิ่งที่ต้องจับตาต่อไป

ด้วยข้อโต้แย้งของทั้งสองฝ่ายที่ยังคงต่างตำแหน่งกันชัดเจน คือฝ่ายหนึ่งเน้นความไม่ชัดเจนของโครงสร้างเทคนิค และอีกฝ่ายยืนยันความแตกต่างจากงานวิจัยเปรียบเทียบ ผลการตัดสินในคดีนี้จึงขึ้นอยู่กับการตีความขอบเขตการคุ้มครองของสิทธิบัตรเป็นหลัก

โดยสรุป ข้อกล่าวอ้างหลักของรายงานครั้งนี้ ซึ่งระบุข้อโต้แย้งของทั้งสองฝ่ายในคดีสิทธิบัตรกระบวนการฝังสารกึ่งโน้มเตอร์ ว่าอย่างไรแล้ว

Verdict: เป็นจริงส่วนใหญ่

Sources — primary documents (6)
  1. https://patents.google.com/patent/KR102556016B1/ko
  2. https://www.kipris.or.kr/kpat/remoteFile.do?method=bigFrontDrawSF1&img=/file45/KP_IMG/20230713/10/2022/0125/1020220125403/1020220125403.jpg
  3. https://www.lamresearch.com/wp-content/uploads/2017/09/Kiyo_Products_1920x600-760x428.jpg
  4. http://weldex.co.kr/images/main1.jpg
  5. https://glaw.scourt.go.kr/
  6. https://dart.fss.or.kr/

KR: /news/20260916-ff122e · 판정: 대체로 사실