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기사 · 발행 2026-10-28 19:18

램리서치, 건식 솔루션 단일 패터닝으로 AI 반도체 1.4nm급 미세화 경로 제시

램리서치, 건식 솔루션 단일 패터닝으로 AI 반도체 1.4nm급 미세화 경로 제시
이미지 출처: 조사 출처

램리서치가 10월 28일 테크서밋 2026에서 AI 반도체 미세화의 다중 패터닝 한계를 건식 솔루션 기반 단일 패터닝 공정으로 넘을 수 있다고 발표했습니다. 발표에 따르면 원자재를 5~10배, 노광량을 10% 절감할 수 있다는 전망이 제시됐습니다.

발표가 제시한 공정 전환의 근거

발표문에 따르면 램리서치는 기존 다중 패터닝 공정이 1.4nm급 미세화에서 비용과 수율의 부담을 키운다고 지적했습니다. 건식 솔루션과 단일 패터닝을 결합하면 공정 단계를 줄이고 재료 손실을 낮출 수 있다는 것이 회사의 설명입니다. 램리서치는 원자재 절감 효과를 5~10배, 노광량 절감 효과를 10%로 각각 제시했습니다.

발표자 수치와 공식 수치의 간격

출처: 조사 출처

당일 발표자가 언급한 세부 수치는 회사 공식 자료와 항목·크기에서 차이를 보입니다. 발표자는 비용 15~20% 절감, 거칠기 2배 개선, 오버레이 20~25% 개선, 다중 패터닝 대비 1.5~2배 비용이라는 수치를 전했습니다. 이 수치들은 당일 발표 단일 출처에 머물며 독립 1차 출처가 아직 확인되지 않았습니다.

양산 채택의 실체와 남은 미지수

뉴스룸 자료에 따르면 램리서치는 메모리 제조사 한 곳에서 이미 양산 라인에 해당 공정을 적용했다고 밝혔습니다. 다만 해당 고객은 '선도 메모리 제조사'라는 표현으로만 공개됐고 어느 회사인지는 아직 확인되지 않았습니다. 국제 연구기구 imec도 1.4nm급 공정에서 high-NA EUV 기반 패터닝 실증 자료를 공개하며 기술 방향 자체는 여러 출처에서 뒷받침되고 있습니다.

업계 표준까지의 거리

imec 자료에 따르면 단일 패터닝 전환이 업계 표준이 된 것은 아직 아니며 전환 여부는 각 제조사의 투자 판단에 달려 있습니다. 다중 패터닝 인프라에 수조원대 투자를 마친 제조사가 공정을 갈아타는 데 드는 전환 비용이 발표에는 정량화되지 않았습니다. 발표의 절감 수치가 실제 양산 환경에서 재현되는지는 몇 분기의 관측이 더 필요합니다.

기술 실재와 실증, 일부 양산 적용은 여러 1차 출처에서 뒷받침되지만 제목의 '한계 돌파'는 전면 양산이 검증된 결과가 아니라 기업의 전망으로 읽어야 합니다. 핵심 수치가 단일 발표 출처에 의존하는 점을 감안하면 이 주장은 대체로 사실에 해당합니다. 향후 해당 메모리 제조사의 신원과 공정 수치의 독립적 재현 여부가 확인 지점이 될 것으로 보입니다.

검증 자료
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