事実
炭化ケイ素(SiC)パワー半導体分野で、韓国・日本の業界メディアがResonac(旧Showa Denko)による12インチSiCウェハーの展開に注目している。SiCは電気自動車や産業機器向けパワー半導体の基板材料として需要が拡大しており、これまで大手ウェハーメーカーの主力は150ミリ(6インチ)や200ミリ(8インチ)が中心だった。
SiC基板は製造が難しく、直径が大きくなるほど結晶成長と加工のハードルが上がる。12インチ(300ミリ)サイズが実用段階に進めば、1枚のウェハーから採れるチップ数が増え、単位当たりコストの低減が期待できる。電気自動車のパワーデバイスやデータセンター向け電源など、採用分野の広がりも重なって、各社が大型化を競う構図が鮮明になっている。
12インチSiCウェハーの量産スケジュール、顧客向け供給の時期、価格設定など詳細は現時点で明らかになっていない。パワー半導体各社の設計ルールや設備投資の状況次第で、12インチ移行の普及速度も変わり得る。
Resonacが12インチSiCウェハー分野を確立したという本件の判断は「事実」である。
Verdict: 事実