产能向HBM集中，通用DRAM供给承压

受AI需求爆发带动，HBM已成为韩国两大存储巨头的战略重心。三星电子与SK海力士持续把DRAM产能和先进制程资源向HBM倾斜，以满足英伟达等客户日益增长的订单需求。

这一调整的直接后果，是传统通用DRAM产品的产出占比被压缩。HBM芯片采用堆叠工艺，在同等晶圆投片量下产出效率低于标准DRAM，进一步放大了通用市场的供给缺口。

中国厂商趁机扩大份额

在韩国厂商让出的市场空间中，中国存储企业正加速填补。依托国家政策与长期投资，中国厂商在DDR4等成熟制程通用DRAM产品上的出货持续扩大，以价格优势切入PC、消费电子及入门级服务器市场。

对三星电子和SK海力士而言，通用DRAM仍贡献可观的现金流，是支撑HBM巨额研发与产线投资的重要基础。若低端市场份额进一步流失，其整体盈利结构或将承压。业内普遍关注，两大巨头如何在保障HBM供应的同时守住通用DRAM的基本盘，将成为下一阶段存储竞争的关键变量。综合来看，这一判断基本属实。