เป็นจริงส่วนใหญ่
ขณะที่ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics) และ SK ไฮนิกซ์ (SK hynix) ทุ่มกำลังผลิต DRAM ไว้กับหน่วยความจำ HBM สำหรับงาน AI เป็นวงกว้าง ผู้ผลิตจากจีนกำลังเร่งการแทรกซึมเข้าสู่ตลาด DRAM ทั่วไป (conventional DRAM) ซึ่งกำลังเผชิญภาวะขาดแคลนอุปทานจากการที่สองยักษ์ใหญ่เกาหลีใต้เลือกจัดสรรโรงผลิตไปที่ HBM
รายงานระบุว่า Samsung Electronics และ SK hynix ได้ผูกสายการผลิต DRAM จำนวนมากไว้กับการผลิต HBM (High Bandwidth Memory) ซึ่งเป็นหน่วยความจำที่จำเป็นสำหรับ GPU และระบบ AI ที่ใช้โมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) ความต้องการ HBM ที่พุ่งสูงทำให้ทั้งสองบริษัทจัดสรรกำลังผลิตเดิมที่เคยใช้ทำ DRAM ทั่วไปไปที่ผลิตภัณฑ์ระดับไฮเอนด์มากขึ้น
ผลคืออุปทาน DRAM ทั่วไปในตลาดโลกตึงตัวลง เนื่องจากผู้ผลิตรายหลักไม่สามารถขยายกำลังผลิตส่วนนี้ได้เท่าที่ควรในช่วงที่ดีมานด์ AI ยังคงแรง
ในสภาพที่อุปทานจากเกาหลีใต้ลดลง ผู้ผลิตหน่วยความจำจากจีนได้รับโอกาสในการเร่งการแทรกซึมเข้าสู่ตลาด DRAM ทั่วไป ซึ่งเป็นช่องว่างที่เกิดจากการที่ Samsung Electronics และ SK hynix เบนความสนใจไปที่ HBM การเคลื่อนไหวของผู้เล่นจีนถือเป็นปัจจัยที่อาจเปลี่ยนภูมิทัศน์การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำมาตรฐาน ซึ่งเดิมครองส่วนแบ่งโดยผู้ผลิตหลักของเกาหลีใต้
การพลิกโฉมนี้สะท้อนว่าเทรนด์ AI ไม่เพียงปรับโครงสร้างกำลังผลิตของบริษัทชั้นนำ แต่ยังเปิดประตูให้คู่แข่งรายใหม่ในตลาดผลิตภัณฑ์เดิมด้วย
สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของเกาหลีใต้ การพึ่งพา HBM อย่างหนักยังคงเป็นกลยุทธ์ที่สอดคล้องกับดีมานด์ AI แต่ความเสี่ยงคือการสูญเสียพื้นที่ในตลาด DRAM ทั่วไปให้กับผู้ผลิตจีนในระยะยาว ผู้สังเกตการณ์อุตสาหกรรมระบุว่าสมดุลระหว่างการลงทุนในหน่วยความจำไฮเอนด์กับการรักษาฐานตลาดเดิมจะเป็นปัจจัยสำคัญในการแข่งขันช่วงต่อไป
โดยรวมแล้ว ข้อกล่าวอ้างว่าซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์และ SK ไฮนิกซ์ผูกกำลังผลิต DRAM ไว้กับ HBM ขณะที่จีนเร่งแทรกซึมตลาด DRAM ทั่วไปนั้น เป็นจริงส่วนใหญ่