原子スケールで迫る物理的限界

2ナノ級工程では配線幅がごく少数の原子層程度になり、膜のわずかな不均一や欠陥が回路性能に直結する。従来のフォトリソグラフィでは回路パターンの精度確保が難しくなり、ASMLのEUV露光装置が量産ラインの主役として定着している。露光ごとにウェハを高精度に動かすステージ制御や光源出力の管理が、歩留まりを左右する重要要素になっている。

各社の対応と製造工程の見直し

Samsung Electronicsは2ナノ級プロセスの量産競争に参入し、ゲートオールアラウンド(GAA)構造の採用などトランジスタ設計自体の転換を進めている。SK hynixはAI需要を背景にしたHBM需要の拡大に対応し、微細化と積層技術の両面で工程を高度化している。こうした変化は、個々の装置性能だけでなく、材料・メタライズ・検査を含む一連の工程設計の組み直しを各社に促しているとされる。

「公式再編」は確定事項ではなく診断

研究過程で確認された資料では、「製造公式の再編」や歩留まりの具体的な見通しは確定した事実ではなく、業界の診断・展望として提示されているものだ。一部の数値は単一の出典に依拠しており、複数源による裏付けが限られる点には留意が必要だ。微細化の先行きについては、EUVの高精細化や工程分割、新材料採用などの方向性が示唆されるものの、具体的な時期や成果は各社の量産結果次第であり、現段階では不確実性が残る。

原子1個に迫る2ナノ工程は半導体製造の従来手法を根本から問い直す局面にあるものの、その全体像はまだ確定していないため、本事実の評価は「概ね事実」と言える。